40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

PMD 5 氧化物刻蚀步骤负责将 Metal 1 沟槽图形从已显影的光刻胶转移到前金属介质（pre-metal dielectric）堆叠层的上部 [A1]。在先进的后段工艺（BEOL）互连架构中，介质堆叠层通常被划分为多个功能层，以实现双大马士革（dual damascene）工艺过程中对垂直深度的精确控制 [A1]。该步骤刻蚀 PMD 5 层并为随后的 PMD 4 氧化物刻蚀做好结构准备，建立起后续将填充 Ta 基衬层和铜以形成第一层布线层的物理空腔 [P1]。