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MET1模块中的Cu种子层沉积步骤是高电阻率Ta基扩散阻挡层与后续大块铜电镀工艺之间的关键桥梁 [P3]。由于电化学沉积依赖于连续且高导电性的表面作为阴极以实现均匀的电流分布，因此高质量的种子层是必不可少的 [P2]。若无此种子层，后续的电镀工艺将无法正常启动，从而导致互连结构内出现不连续生长或灾难性的空洞 [P2]。该步骤紧接在Ta基衬垫之后，为电镀铜的生长提供了必要的成核位点 [P2]。