在沉积 Ta 基衬层、Cu 晶种层以及主体 Metal 1 (M1) Cu 电镀工艺之后，采用 Cu CMP 工艺步骤去除主体 Cu 覆盖层并定义孤立的 M1 互连线 。这一特定步骤专门侧重于清除多余的铜，并有意识地停止在下方的 Ta 基衬层上，这构成了两步法互连平坦化工艺的第一阶段 。通过这种方式，可以实现晶圆表面的平坦化，并为后续的 Ta 基衬层 CMP 和 CMP 后清洗模块做好结构准备 。作为 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中的第一层金属布
线层 (MET1)，该步骤相较于更高级别的后段工艺 (BEOL) Cu CMP 步骤，面临着最紧凑的图形密度和间距要求，需要极高精度的平坦化以防止短路，同时保持结构的完整性 。