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在沉积 Ta 基衬层、Cu 晶种层以及主体 Metal 1 (M1) Cu 电镀工艺之后，采用 Cu CMP 工艺步骤去除主体 Cu 覆盖层并定义孤立的 M1 互连线 [P1]。这一特定步骤专门侧重于清除多余的铜，并有意识地停止在下方的 Ta 基衬层上，这构成了两步法互连平坦化工艺的第一阶段 [P1]。通过这种方式，可以实现晶圆表面的平坦化，并为后续的 Ta 基衬层 CMP 和 CMP 后清洗模块做好结构准备 [A3]。