湿法化学工艺通常会加入多齿螯合剂,与金属副产物形成稳定的络合物,从而削弱刻蚀后外壳的结构完整性,其机理类似于 CMP 后缺陷去除所采用的方法 [P4]。
在 PMD 4 氧化层刻蚀之后,Metal 1 沟槽的物理形态已定义完成,但介质表面严重沾污了残留的光刻胶、底部抗反射涂层(BARC)以及 RIE 过程中产生的交联碳氟(CFx)聚合物 [A2]。此灰化与剥离/清洗步骤必须彻底去除这些有机和金属有机残留物,以便在后续的 Ta 基衬垫沉积前露出原始的介质表面 [P1]。
登录后继续阅读全部 417 步
免费注册