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此特定工艺步骤直接紧随氮化硅侧墙间隔层的各向异性反应离子刻蚀（RIE）之后 [P2]。前序的RIE等离子体不可避免地会产生大量碳氟聚合物残留，并在暴露的有源区留下金属或有机污染物 [P4]。为了成功执行后续的NMOS源/漏极及浮空扩散区（FD）光刻工艺，必须将硅表面恢复至原始的、可注入状态 [A1]。与标准的注入后光刻胶剥离工艺不同，此特定步骤必须在不造成额外的硅衬底凹陷（recess）的情况下，彻底清除硬化的刻蚀后碳氟聚合物及等离子体诱导的表面损伤 [P2]。