NMOS S/D, FD Implant Mask Lithography

光刻胶必须足够厚，以完全阻挡用于深层S/D掺杂的高能加速离子，防止PMOS区域发生意外的补偿掺杂 [T1]。

此光刻步骤旨在为后续NMOS源极/漏极（S/D）及像素浮置扩散（FD）区域的重n型离子注入形成所需的光刻胶掩模 [T1]。该步骤发生在氮化物侧墙（SWS）形成之后（工程实践）。与先前用于定义自对准栅极浅延伸区以抑制短沟道效应的NMOS LDD IIP光刻步骤不同 [T3]，此步骤利用SWS作为额外的物理偏移掩模，使深层的、高剂量的S/D注入远离冶金沟道 [P2]。