40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，焊盘（bond pad）开口模块必须建立与嵌入式金属布线的电气通路 （工程实践）。在完成体硅和焊盘氧化层的蚀刻后，CESL 1 蚀刻步骤会去除背面介电堆叠中遇到的第一层接触蚀刻停止层 [A1]。CESL 通常由等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的非晶氢化氮化硅构成 [P1]。