40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在背照式（BSI）CMOS 图像传感器工艺流程中，背面处理需要开辟深键合焊盘（bond pads）以将传感器连接至外部电路（工程实践）。其工艺顺序为：Si 刻蚀，随后进行 Pad Oxide 刻蚀，再进行 CESL（接触刻蚀停止层）和 PMD（前金属介质）刻蚀，这表明该工艺是从晶圆背面以逆序方式解构结构层 [P1]。早期的前段工艺焊盘氧化层刻蚀（例如第 #10 步）用于通过在沉积的氮化硅下方充当应力缓冲层来制备有源区 [P2]。