40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器中，打开背面焊盘（bond pad）需要穿透复杂的各种光学层和介质层堆叠（工程实践）。与处理最上层有机膜或平坦化膜的Optical Pad 3刻蚀，以及清除紧邻金属上方最终阻挡层的Optical Pad 1刻蚀不同，Optical Pad 2刻蚀专门用于去除大块中间介质（通常为厚SiO₂或SiN），同时保持严格的轮廓控制 [P2]。该步骤位于Lower OCL刻蚀之后，确保在开始焊盘区域的大块介质去除之前，光学平坦化结构已得到定义 [A2]。