40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

HKD/AR2刻蚀步骤是背照式（BSI）CMOS图像传感器焊盘模块中的关键减法工艺 [P1]。该步骤位于BPMD（焊盘金属介质）刻蚀之后，通过选择性地去除上层抗反射（AR2）和高k介质（HKD）层，为随后的AR1和硅背面刻蚀操作做好准备 [A2]。在先进封装和互连方案中，暴露焊盘需要依次清除复杂的各种光学薄膜和钝化膜堆叠，以建立通往底层金属结构的可靠电接触路径 [A1]。