PMD 4 Etch - 40nm 工艺步骤

PMD 4 Etch 必须保持严格的轮廓垂直度和光滑的侧壁，以确保后续金属填充或连接的可靠性，从而直接支持先进通孔框架中所定义的结构完整性 [A2]。

PMD 4 Etch 步骤是纳米尺度背照式（BSI）CMOS 图像传感器焊盘开口顺序工艺中的一个关键中间阶段 [A2]。在 BSI 架构中，从减薄后的背侧访问正面金属焊盘需要刻蚀穿过多层厚电介质堆叠层 [A1]。通过将总刻蚀深度划分为多个阶段（PMD 1 至 5），该工艺避免了光刻胶预算耗尽和严重的轮廓退化（工程实践）。