PMD 5 Etch - 40nm 工艺步骤

在刻蚀过程中，聚合型氟碳物质在特征侧壁上沉积一层薄的钝化层，以防止横向刻蚀 [P3]。

PMD 5 Etch 是键合垫（bondpad）模块中多步前段（Pre-Metal Dielectric, PMD）刻蚀序列的最后阶段 [A2]。在纳米尺度背照式（BSI）CMOS 图像传感器中，到达接触垫需要穿过厚且复合的 PMD 叠层进行刻蚀，以形成高深宽比接触孔（HARC）[P1]。该步骤在过渡到后续的层间介质（ILD）处理步骤（如 ILD 1-1 Etch）之前完成深接触孔轮廓的加工 [A2]。