40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器封装工艺流程中，RIE刻蚀的ILD 2-2刻蚀步骤是多级焊盘（bond pad）开口序列的关键组成部分 [A1]。在BSI CIS架构中，外部电气连接需要通过厚的多层前段或后段介质堆栈刻蚀出深焊盘开口 [P1]。继最初的ILD 1和ILD 2-1刻蚀之后，ILD 2-2步骤继续对特定的绝缘层进行针对性去除，并在最终的阻挡层刻蚀前保持精确的几何边界 [A1]。