RIE etch ILD 1-1 Etch - 40nm 工艺步骤

刻蚀与沉积的比率受等离子体停留时间和气体组分的强烈调节，这些因素最终决定了刻蚀的选择性 [P1]。

RIE 刻蚀 ILD 1-1 刻蚀是 40nm BSI CMOS 图像传感器封装和焊盘（bondpad）模块中的关键步骤 [P4]。继顺序进行的 PMD 刻蚀之后，该步骤启动了形成金属-半导体接触和外部焊盘结构开口所需的深介质挖掘工艺 [T1]。与图案化薄的单一薄膜的前段工艺氧化物或氮化物刻蚀不同，该步骤必须对厚层间介质（ILD）堆叠进行高强度的刻蚀，同时防止对下方的导电特征或刻蚀停止层造成过刻蚀损伤 [A1]。