40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的LS_GRID（光屏蔽栅格）模块中，金属栅格在物理上隔离了相邻像素，以抑制光学和电学串扰*（工程实践）。在此步骤之前，通常采用钨（W）作为主栅格金属，并通过W Etch工艺完成了图形化（工程实践）*。底层的氮化钛（TiN）薄膜具有20-25 µΩ·cm的低电阻率，起到粘附层和扩散阻挡层的作用，并暴露在沟槽底部 [P4]。