40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器的制造中，遮光栅格的形成需要极高精度的光刻技术（工程实践）。在此之前的工艺步骤，如Optical Pad 3沉积，会在底层光学元件上方引入包含明显波峰和波谷的表面形貌 [A1]。工艺流程中集成了Optical Pad 3 CMP（化学机械平坦化）步骤，旨在消除这种形貌并实现严格的晶圆级全局平坦化 [P4]。