40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在沉积 TiN 阻挡层和 W 芯材料之后，该光刻步骤定义了上层垂直光学隔离栅的物理边界 [P1]。与通常用于定义后续大马士革金属填充电介质沟槽的下层或中层垂直栅槽光刻步骤不同，此步骤采用了减法图案化集成方案（工程实践）。此处形成的光刻胶图案直接用作软掩模，或为随后的各向异性 W 和 TiN 干法刻蚀步骤定义中间硬掩模 [A2]。通过建立上层栅格的精确几何极限，该步骤确保了背照式 (BSI) 架构中相邻像素之间的光学隔离，从而减少光学串扰并提高整体空间分辨率（工程实践）。