40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成遮光栅格（LS_GRID）的 W 和 TiN 刻蚀后，晶圆表面会残留硬化的光刻胶（PR）外壳以及含卤素的有机金属刻蚀后残留物（PER）[P1]。金属栅格结构在背面照明（BSI）CMOS 图像传感器中起到物理隔离相邻像素的作用，以最大限度地减少光学和电学串扰*（工程实践）*。残留的刻蚀产物会严重阻碍后续上层栅格密封层的均匀沉积，可能导致附着力失效或污染物截留 [P4]。