40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器工艺流程中，中间垂直栅格（Mid Vertical Grid）的CMP后清洗步骤至关重要 [A2]。在钨（W）栅格的化学机械抛光（CMP）之后，晶圆表面会受到残留研磨液磨料、金属碎片以及有机化学副产物的严重污染 [P2]。与主要针对氧化物和氮化物残留的浅沟槽隔离（STI）CMP后清洗不同，此特定清洗步骤必须积极处理重金属污染，以防止光学散射以及相邻像素隔离结构之间的电气短路 [P3]。