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在完成中间垂直栅极沉积（Mid Vertical Grid Deposition）和 W CMP 后，晶圆呈现出一个平坦化的表面，露出中间栅极金属和介电区域 （工程实践） [T1]。上层垂直栅极阻挡层沉积（Upper Vertical Grid Barrier Deposition）步骤通过提供必要的附着层和扩散阻挡层，为后续的上层垂直栅极沉积准备界面 [A2]。