40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

本步在上层氮化钛阻挡层之后沉积钨，随后经过光刻前清洗、上层栅格光刻与金属刻蚀。当前形成覆盖膜；保留的栅格线和透光开口尚需后续图形化，不能把整片沉积膜当作已经完成的像素间遮光墙。

化学气相沉积依靠反应物供给、表面成核与生长形成钨膜。表面反应和输运共同影响覆盖，膜的连续性、应力与原有形貌会影响后续加工。共形沉积不是无空洞或完全无应力的保证。