40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

这一特定的光刻前清洗（Pre Litho Cleaning）步骤紧随 Optical Pad 3 CMP 及 CMP 后清洗之后，并位于中段垂直栅极沟槽光刻（Mid Vertical Grid Trench Photo）步骤之前 （工程实践）。虽然 CMP 后清洗主要用于去除平坦化表面上的大量抛光液磨料和宏观有机残留物 [P4]，但此光刻前清洗旨在确保表面经过化学调节，并在涂覆光刻胶前绝对无纳米级缺陷或水分 [P1]。