40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成 CIS 和 ISP 晶圆的热压键合 [A2] 以及随后的体硅背面磨削后，顶部的 CIS 晶圆被大幅减薄，而底部的 ISP 晶圆保持较厚 (Engineering Practice)。由于表面磨削是在不改变晶圆圆形周界的情况下均匀去除顶面体硅材料，因此它会在减薄后的晶圆外围留下一圈极其锋利且脆弱的“刀刃” [A2]。此外，由于先前的抛光步骤产生的边缘滚降（edge roll-off），键合晶圆对的最外边缘通常存在未键合区域 [A2]。