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超声波清洗步骤被战略性地放置在 CIS 背面晶圆边缘研磨之后、背面 Si CMP 步骤之前 [A1]。边缘研磨工艺依赖机械磨削来修整晶圆周边，这必然会产生大量的硅粉尘和磨料颗粒残留 [A2]。如果这些亚微米颗粒不能被彻底清除，它们将在随后的 CMP 操作中充当寄生磨料，导致减薄后的硅表面出现灾难性的微划痕和缺陷 [P2]。因此，该清洗步骤作为关键的颗粒去污屏障，确保了背面表面的洁净度，以满足后续平坦化工艺对稳定性和无缺陷的要求 [A1]。