40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

“栅极形成-光刻”（Gate Formation - Photo）步骤是CMOS模块中最关键的光刻工艺，因为它定义了有源沟道区域上方多晶硅电极的物理栅长（$L_g$）[T1]。在As掺杂的PolySi沉积与退火之后，该步骤通过施加光刻胶掩模，在随后的高各向异性PolySi刻蚀过程中保护预定的栅极区域 [A2]。精确定义该尺寸至关重要，因为栅极对沟道的静电控制直接决定了晶体管驱动电流（$I_{on}$）与亚阈值漏电流（$I_{off}$）之间的权衡 [T1]。