40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的制造中，P-Well离子注入（IIP）步骤为外围NMOS器件建立了基础的p型体区[T1]。在“外围P-Well IIP - 光刻”步骤之后，图案化的光刻胶层仅暴露出指定的NMOS有源区和隔离区，而覆盖晶圆的其余部分[T1]。此注入工艺将受主杂质引入硅衬底，以精确调节局部电导率，并将费米能级向价带方向移动[T1]。