40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

该工艺步骤利用光刻技术来定义 40nm BSI CMOS 图像传感器外围区域的 P-Well 注入窗口 [P2]。在现代图像传感器中，外围电路负责高速信号处理、时序控制和读出逻辑，这些功能需要标准的 CMOS 晶体管架构 [P2]。此步骤在像素阵列 P-Well 形成及其随后的剥离/清洗工艺之后进行，将逻辑阱定义与专门的像素阱集成区分开来 [P2]。