40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

像素阵列 P-Well IIP（光刻步骤）是一项关键的光刻操作，旨在为有源图像传感器阵列中后续的 P-Well 离子注入定义空间边界 [T2]。该步骤位于光电阴极形成之后、阱注入之前，用于曝光特定区域，以便引入 P 型掺杂剂来形成像素晶体管的主体及相邻光电二极管之间的隔离区 [P2]。与针对标准逻辑 CMOS 阈值电压控制进行优化的外围 P-Well 光刻不同，像素阵列 P-Well 是专门定制的，旨在最大化源极跟随器的转换增益并抑制横向电荷扩散 [P2]。