40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

此光刻前清洗步骤为新长出的阱氧化层做好准备，以进行外围 N-Well 光刻胶涂覆（工程实践）。先前的氧化层生长充当注入阻挡层，以最大限度地减少随后高能 N-Well 离子注入过程中的沟道效应和表面损伤 [P3]。该特定步骤在工艺流程中区别于其他清洗操作，因为其主要目标是为光刻附着力提供一个原始、无颗粒的表面，且不会过度刻蚀或粗糙化下方的功能性氧化层 [P4]。