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在完成 NMOS 阈值电压（VT）调节离子注入以及随后的光刻胶灰化与清洗后，必须去除薄的注入屏蔽氧化层 [P4]。该氧化层最初覆盖在沟道区域上方，旨在使入射离子的轨迹随机化，防止沟道效应，并在注入过程中保护裸露的硅表面免受金属和有机污染物的影响 [T1]。由于高能离子轰击会对氧化层网络造成物理损伤并嵌入污染物，如果保留该氧化层，将严重降低最终栅极介质的质量 [A2]。因此，在生长牺牲氧化层（SACOX）之前，需要通过化学方法彻底去除这一受损层，以露出原始的硅表面 （工程实践）。