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前序步骤 NMOS VT Adjust IIP 利用图形化光刻胶掩模来阻挡 p 型掺杂剂进入非 NMOS 区域，同时允许离子穿过牺牲氧化层注入到目标有源区 [T1]。在注入工艺通过改变局部载流子浓度以设定 NMOS 阈值电压后，必须在进行高温热处理步骤前将高度交联的光刻胶掩模彻底去除 [P3]。如果残留在晶圆上，富含碳的光刻胶会在后续氧化过程中发生严重的碳化，从而破坏晶体器件结构 [P1]。