40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CIS 工艺流程中，键合盘（bondpad）开口工艺必须穿过多层介质和刻蚀停止层，以在不损坏周围结构的情况下露出焊盘 [P2]。之前的步骤已经刻蚀了体硅和焊盘氧化层，随后进行了 CESL 1 刻蚀，因此需要通过 CESL 2 刻蚀来穿透多层接触刻蚀停止层堆叠的下一层 [P1]。CESL 薄膜通常由通过 PECVD 沉积的非晶氢化氮化硅构成，被广泛用于在器件沟道中诱导目标机械应力，以提高载流子迁移率 [P1]。