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此 CMP 后清洗步骤紧随 Metal 3 (MET3) Cu 及基于 Ta 的衬垫层 CMP 之后，旨在为 ILD 3-1 的沉积准备晶圆 [P1]。在先前的 Cu 和阻挡层 CMP 步骤中，晶圆表面会被研磨颗粒和有机腐蚀抑制剂（如苯并三氮唑 (BTA)）严重污染 [P1, P2]。这些残留物使铜表面具有极强的疏水性，这可能导致严重的干燥缺陷以及后续堆叠层附着力不良 [P2]。因此，此清洗步骤对于在密封 M3 层之前恢复表面润湿性和介电完整性至关重要 （工程实践）。