40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

PMD 3 Etch 步骤是 纳米尺度 背照式（BSI）CMOS 图像传感器 BONDPAD 模块中至关重要的中间介质去除工艺 [P4]。由于 BSI 架构要求通过厚重的多层介质堆叠层暴露出底部的金属焊盘以进行最终封装连接，因此本体蚀刻被划分为多个连续的阶段（PMD 1 至 PMD 5），以精确管理热预算、轮廓锥度及微负载效应 [A1]。