40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

RIE蚀刻 ILD 3-1 蚀刻是 40nm BSI CMOS 图像传感器封装流程中 BONDPAD 模块内的一项关键减法工艺 [P1]。继 ILD 1 和 2 蚀刻之后，该步骤旨在去除厚层上部互连介质层的主体部分，以露出顶层金属（Metal 7），从而进行后续的引线键合或凸点形成 [A2]。与浅层氧化物硬掩模蚀刻或各向同性的湿法氮化物去除工艺不同，该步骤需要在穿过厚介质层（如未掺杂硅玻璃或多孔有机硅酸盐玻璃）时进行高度各向异性的深蚀刻，同时保持严格的关键尺寸 [A2]。