40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI（背面照明）CMOS图像传感器工艺流程中，焊盘（bond pad）开口必须逐步穿透多个背面介质层，以建立用于封装的低损耗电气连接 [A1]。在初步的光学焊盘刻蚀之后，执行氧化物栅格密封层（Oxide Grid Seal Layer）刻蚀，以去除结构性氧化物层——该层通常通过高密度等离子体沉积或使用TEOS前驱体进行沉积——从而密封背面金属光学隔离栅格 [A2]。