40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CIS封装工艺流程中，BPMD（焊盘掩模介质）刻蚀用于对定义后续背面焊盘开口布局的厚介质堆叠进行图形化 [P2]。该步骤紧接在氧化物栅格密封层（Oxide Grid Seal Layer）刻蚀之后，精确地将焊盘光刻图形转移至下方的介质层中，为后续的HKD/AR（高k介质/抗反射层）及深硅背面刻蚀提供稳健的硬掩模 [P2]。其主要目标是在不损害邻近光学像素阵列结构完整性的前提下，选择性地去除终端金属焊盘区域上方的钝化层和掩模介质 [P2]。