40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器中，实现电气I/O引出需要打开背面的钝化层、光学隔离层和结构介电层，从而形成键合焊盘 [A2]。“光学焊盘1刻蚀”（Optical Pad 1 Etch）专门用于穿透上层体介电层或特定的硬掩模覆盖层，随后穿过下方的结构网格（如氧化物网格密封层）以及抗反射/钝化堆叠层（BPMD, HKD/AR2）[A1]。