钨沉积跨越受控的阻挡与成核界面填充 M0 接触开口，最大化导电体积以形成可靠电连接 [P1]。
在通过 CMP 对钨 (W) 和 Ti/TiN 接触插塞进行平坦化后，Metal 0 (M0) 钨沉积步骤在 纳米尺度 后段工艺 (BEOL) 流程中建立了第一个局部互连层 [P1]。M0 作为关键桥梁，连接着高深宽比接触插塞与后续的全局布线层 [A2]。与该流程中采用双大马士革结构电镀铜的 Metal 1 至 Metal 4 步骤不同 [P2]，此 M0 步骤采用全域钨沉积后接减法刻蚀工艺 [P4]。
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