40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

Metal 0 光刻步骤定义了后段工艺（BEOL）互连系统中的第一层水平局部布线层 [T1]。与之前定义垂直通孔以连接半导体器件终端的接触孔光刻步骤不同，该步骤专门在先前沉积的钨（W）毯式薄膜上直接图案化水平互连线 [P2]。该模块的主要目标是制作一种聚合物或混合掩膜，以在随后的减法等离子体刻蚀过程中保护下层的 W，从而隔离出最终的导电路径 [T1]。