40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

氮化硅（SiN）层在浅沟槽隔离（STI）图案化过程中起着刚性硬掩模的作用，并在化学机械平坦化（CMP）过程中充当稳健的停止层 [P1]。在 STI 最终致密化退火和湿法去釉刻蚀之后，必须彻底去除该 SiN 层以露出有源硅区域 [T1]。此去除工艺为衬底进行随后的 Blanket B Well 注入和热栅氧化层生长步骤做好了准备 [T1]。剥离工艺必须具有极高的选择性，以避免消耗相邻的平坦化 STI 氧化物和下方的衬垫氧化物（pad oxide） [A1]。