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P-Pinning IIP - 光刻步骤是一项关键的光刻工艺，用于定义钉扎光电二极管 (PPD) 的 p+ 表面层的离子注入掩模 [P1]。在形成 N 型浮空扩散区 (FD) 后，该步骤精确地对光刻胶层进行图案化，以暴露光电二极管上方的硅表面，同时保护传输栅极 (TG)、FD 和外围电路区域 [A1]。正确定义此开口的空间位置至关重要，因为必须对 TG 边缘周围的详细制造工艺进行高度工程化设计，以确保不存在显著的势垒，从而实现电荷的完全转移 [P1]。