40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在亚微米间距直接键合互连（DBI）的形成过程中，层间介质（ILD）堆叠具有高度异构性，以同时满足电气隔离和后续平坦化的要求 [P1]。在光刻和初始掩模开口步骤（ILD 6-5 和 6-4）之后，ILD 6-3 刻蚀步骤作为主要的本体介质图形转移阶段 [A1]。它为最终将进行混合晶圆对晶圆键合的 Cu 焊盘准备了空腔 [P4]。