40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成外围区 P-Well 离子注入步骤后，硅片表面仍覆盖着一层图案化光刻胶掩模，该掩模成功阻挡了高能掺杂剂进入互补的 N-Well 区域 [P2]。在进行下一道用于外围区 N-Well 接触注入（IIP）的光刻工艺之前，必须彻底去除该光刻胶，以恢复原始的半导体表面 [P1]。与非注入步骤后简单的光刻胶去除操作不同，这种特定的阱区模块剥离面临着去除离子注入后光刻胶的复杂挑战 [P1]。