40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

PMD 3刻蚀步骤是40nm BSI CMOS图像传感器高深宽比接触孔（HARC）形成模块中的一个关键中间阶段 [P2]。继前一道PMD 4刻蚀步骤完成光刻胶图形化和上层介质层击穿后，该步骤继续将各向异性图形转移至前段介质堆叠层深处 （工程实践）。这一垂直刻蚀序列最终为金属通孔和局部互连构建了物理通道，以实现晶体管栅极与源/漏极区域的物理及电气耦合 [A1]。