40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器中，从背面暴露键合焊盘或硅通孔（TSV）着陆焊盘需要蚀刻掉一层极其复杂且厚重的介质材料堆叠 [A1]。在依次打开焊盘氧化层（Pad Oxide）和接触蚀刻停止层（CESL 1和2）之后，PMD 1蚀刻开始对金属前介质（PMD）堆叠进行大块去除 [P1]。由于BSI架构中的总介质厚度很大，整个蚀刻序列被分为多个阶段（PMD 1至4），以保持严格的轮廓控制并管理热预算 [A2]。