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在前面的大块 Cu CMP 步骤去除了厚重的铜过剩层之后，底部的 Ta 基衬层（通常为 Ta/TaN 叠层）会暴露在场介质层上 [P1]。此 Ta 基衬层 CMP 步骤旨在选择性地去除残留的导电阻挡层，从而使相邻的 MET6 铜线路在电气上相互隔离，防止发生短路 [P2]。