Cu CMP（MET6） - 40nm 工艺步骤

利用三唑类化合物等抑制剂在 Ta 基衬垫上形成钝化保护膜，确保抛光工艺在本体铜被清除后迅速减慢 [A1]。

MET6 模块中的 Cu CMP 工艺旨在去除电镀铜的溢出层（bulk copper overburden）并实现全局平坦化，且必须严格停止在底层的 Ta 基衬垫上 [P1]。作为 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺中的上层金属化层，与较精细的 M1-M3 互连线相比，MET6 通常具有更宽的全局布线和光学屏蔽结构 [T2]。因此，这一特定的 CMP 工艺必须处理更大局部体积的铜去除量，并大幅缓解宽沟槽上因布局而产生的形貌变化 [P2]。