40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

氧化硬掩模（Oxide Hard Mask）去除步骤被战略性地安排在深沟槽隔离（DTI）SiN填充物的平坦化和湿法刻蚀清理之后 [P1]。在工艺流程的这一阶段，此前曾作为高深宽比深反应离子刻蚀（DRIE）硅沟槽的坚固模板的氧化硬掩模已完成了其结构使命 [P2]。若保留该厚氧化层，将破坏后续浅沟槽隔离（STI）模块所需的形貌基准，因为该模块依赖于沉积一层全新的、原始的SiN/SiO硬掩模叠层 [P1]。