40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

SWS 氮化物各向异性回刻的主要目的是通过去除水平表面上的共形氮化硅层，同时选择性地保留垂直栅极侧壁上的氮化硅，从而形成关键的侧壁隔离物（Sidewall Spacers）[A1]。在工艺流程中，该步骤紧随薄垫氧化层（pad oxide）和大块 SWS 氮化物的沉积之后，并为随后的高掺杂源/漏（S/D）离子注入工艺做好准备 [P3]。通过确定栅极边缘与深层 S/D 结之间的精确物理间距，隔离物最大限度地减少了寄生重叠电容，并抑制了严重的短沟道效应，例如阈值电压滚降 [T2]。